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为此，神器人们一方面发展了FinFET、神器GAAFET等多栅晶体管和充分利用垂直空间的三维集成系统（图2），另一方面充分利用具有纳米级沟道厚度的CNT和TMDC等低维材料的特性构建器件（图3）。图3.单壁碳纳米管、居决界百石墨烯、二硫化钼和氮化硼等低维材料的结构示意图。
然解图5.基于低维材料的FinFET和GAAFET性能。汽车图2. 增加栅极数目将抑制短沟道效应。一、年不难题导读自20世纪60年代以来，年不难题金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）的特征尺寸按照摩尔定律的指引已经缩小到纳米尺度，通过实现更小、更快、更低功耗的器件，将进一步有效增加芯片上晶体管的集成密度。
该团队总结了目前器件的性能，国产改装指出联合低维材料技术和三维器件技术将可能带来满足后摩尔时代要求的高集成度、低功耗器件和系统（图5）。神器图6.使用低维材料作为沟道的器件的载流子迁移率和等效氧化层厚度。
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